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EMD30T2R

¥3.53

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

參數名稱參數值
Product StatusNot For New Designs
Transistor Type1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Current - Collector (Ic) (Max)200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V, 30V
Resistor - Base (R1)10kOhms, 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500μA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Frequency - Transition260MHz
Power - Max150mW
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Supplier Device PackageEMT6

新聞資訊

ROHM Semiconductor 雙極晶體管陣列,預偏置 產品 EMD30T2R

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