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DTD743EETL

¥3.38
單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

參數(shù)名稱(chēng)參數(shù)值
Product StatusNot For New Designs
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)30 V
Resistor - Base (R1)4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)4.7 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce115 @ 100mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Frequency - Transition260 MHz
Power - Max150 mW
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSC-75, SOT-416
Supplier Device PackageEMT3

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 產(chǎn)品 DTD743EETL

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