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DTB513ZE3TL

¥2.88

PNP, SOT-416, R1R2 LEAK ABSORPTI

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
Transistor TypePNP - Pre-Biased + Diode
Current - Collector (Ic) (Max)500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)12 V
Resistor - Base (R1)1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce140 @ 100mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Frequency - Transition260 MHz
Power - Max150 mW
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSC-75, SOT-416
Supplier Device PackageEMT3

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 產(chǎn)品 DTB513ZE3TL

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