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DTA115EE3TL

¥2.66

PNP, SOT-416, R1=R2 POTENTIAL DI

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
Transistor TypePNP - Pre-Biased + Diode
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Resistor - Base (R1)10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)47 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce68 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250μA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA (ICBO)
Frequency - Transition250 MHz
Power - Max150 mW
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSC-75, SOT-416
Supplier Device PackageEMT3

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 產(chǎn)品 DTA115EE3TL

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