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STFI9N60M2

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單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAKFP

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs780mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 10 V
Vgs (Max)±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds320 pF @ 100 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)20W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageI2PAKFP (TO-281)
Package / CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產品 STFI9N60M2

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