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ES6U41T2R

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單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 30V 1.5A 6WEMT

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds80 pF @ 10 V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max)700mW (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package6-WEMT
Package / Case6-SMD, Flat Leads

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產品 ES6U41T2R

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