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R6025FNZ1C9

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單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 600V 25A TO247

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs85 nC @ 10 V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3500 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)150W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-247
Package / CaseTO-247-3

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 R6025FNZ1C9

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