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STFW20N65M5

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單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 650V 18A ISOWATT

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36 nC @ 10 V
Vgs (Max)±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1434 pF @ 100 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)48W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-3PF
Package / CaseTO-3P-3 Full Pack

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 STFW20N65M5

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