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STH52N10LF3-2AG

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單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C52A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.5 nC @ 5 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1900 pF @ 400 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)110W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageH2Pak-2
Package / CaseTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產品 STH52N10LF3-2AG

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