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STB20N60M2-EP

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單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 10 V
Vgs (Max)-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
FET Feature-
Power Dissipation (Max)-
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageD2PAK (TO-263)
Package / CaseTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產品 STB20N60M2-EP

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