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STD19N3LLH6AG

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單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 30V 10A DPAK

參數名稱參數值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds321 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)30W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageDPAK
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產品 STD19N3LLH6AG

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