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RS6G100BGTB1

¥13.46
單 FET、MOSFET

NCH 40V 100A, HSOP8, POWER MOSFE

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1510 pF @ 20 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)3W (Ta), 59W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-HSOP
Package / Case8-PowerTDFN

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產品 RS6G100BGTB1

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