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CSD19532KTT

¥18.43
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.6mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3.2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs57 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5060 pF @ 50 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)250W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageDDPAK/TO-263-3
Package / CaseTO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

新聞資訊

Texas Instruments 單 FET、MOSFET 產品 CSD19532KTT

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