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STD1HN60K3

¥11.45
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8Ohm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 50μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds140 pF @ 50 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)27W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageDPAK
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產品 STD1HN60K3

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