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RD3G03BBGTL1

¥11.45
單 FET、MOSFET

NCH 40V 65A, TO-252, POWER MOSFE

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1170 pF @ 20 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)50W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTO-252
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產品 RD3G03BBGTL1

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