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RXH090N03TB1

¥10.15
單 FET、MOSFET

4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.8 nC @ 5 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds440 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2W (Ta)
Operating Temperature150°C
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-SOP
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 RXH090N03TB1

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