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RW4E075AJTCL1

¥8.35
單 FET、MOSFET

NCH 30V 7.5A POWER MOSFET: RW4E0

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs26mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds720 pF @ 15 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.5W (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageDFN1616-7T
Package / Case6-PowerUFDFN

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產品 RW4E075AJTCL1

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