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RF4G100BGTCR

¥7.78
單 FET、MOSFET

NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs14.2mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds530 pF @ 20 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2W (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageDFN2020-8S
Package / Case8-PowerUDFN

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 RF4G100BGTCR

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