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RW4E065GNTCL1

¥7.70
單 FET、MOSFET

NCH 30V 6.5A, HEML1616L7, POWER

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs22.5mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds260 pF @ 15 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.5W (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageDFN1616-7T
Package / Case6-PowerUFDFN

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產品 RW4E065GNTCL1

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