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RTQ035P02HZGTR

¥6.62
單 FET、MOSFET

MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1200 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)950mW (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTSMT6 (SC-95)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 RTQ035P02HZGTR

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