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STL3N10F7

¥6.62
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds408 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.4W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackagePowerFlat? (2x2)
Package / Case6-PowerWDFN

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產品 STL3N10F7

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