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RQ5C060BCTCL

¥5.76
單 FET、MOSFET

MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs21.1mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1360 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTSMT3
Package / CaseSC-96

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產品 RQ5C060BCTCL

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