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QS5U12TR

¥4.82
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds175 pF @ 10 V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max)1.25W (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTSMT5
Package / CaseSOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 QS5U12TR

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