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RZR025P01TL

¥4.32
單 FET、MOSFET

MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3

參數名稱參數值
Product StatusNot For New Designs
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs61mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1350 pF @ 6 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1W (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTSMT3
Package / CaseSC-96

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產品 RZR025P01TL

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