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RV8L002SNHZGG2CR

¥4.18
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 60V 250MA DFN1010-3W

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C250mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds15 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1W (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageDFN1010-3W
Package / Case3-XFDFN

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產品 RV8L002SNHZGG2CR

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