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BSS670T116

¥3.60
單 FET、MOSFET

NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C650mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs680mOhm @ 650mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 10μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds47 pF @ 30 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)200mW (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageSST3
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 BSS670T116

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