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RV2C010UNT2L

¥2.95
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs470mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds40 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)400mW (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageVML1006
Package / CaseSC-101, SOT-883

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產品 RV2C010UNT2L

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