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R6530KNZ4C13

¥49.39
單 FET、MOSFET

650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs140mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 960μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2350 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)305W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-247G
Package / CaseTO-247-3

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產品 R6530KNZ4C13

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