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RX3G18BGNC16

¥47.45
單 FET、MOSFET

NCH 40V 180A, TO-220AB, POWER MO

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.64mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs168 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds12000 pF @ 20 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)125W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-220AB
Package / CaseTO-220-3

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產品 RX3G18BGNC16

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