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R6020YNZ4C13

¥47.30
單 FET、MOSFET

NCH 600V 20A, TO-247, POWER MOSF

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V, 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs185mOhm @ 6A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id6V @ 1.65mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28 nC @ 10 V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1200 pF @ 100 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)182W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-247
Package / CaseTO-247-3

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產品 R6020YNZ4C13

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