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STP65N150M9

¥29.02
單 FET、MOSFET

N-CHANNEL 650 V, 128 MOHM TYP.,

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32 nC @ 10 V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1239 pF @ 400 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)140W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-220
Package / CaseTO-220-3

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產品 STP65N150M9

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