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IXTA1R4N100P

¥23.83
單 FET、MOSFET
Littelfuse

MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 50μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds450 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)63W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTO-263AA
Package / CaseTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

新聞資訊

Littelfuse 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 IXTA1R4N100P

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