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R8009KNXC7G

¥30.02
單 FET、MOSFET

HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds900 pF @ 100 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)59W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-220FM
Package / CaseTO-220-3 Full Pack

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產品 R8009KNXC7G

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