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STU5N62K3

¥13.25
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 620V 4.2A IPAK

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)620 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 50μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26 nC @ 10 V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds680 pF @ 50 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)70W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-251 (IPAK)
Package / CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產品 STU5N62K3

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