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STD1NK60-1

¥7.92
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 600V 1A IPAK

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3.7V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 10 V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds156 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)30W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageI-PAK
Package / CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產品 STD1NK60-1

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