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R6509END3TL1

¥16.34
單 FET、MOSFET

650V 9A TO-252, LOW-NOISE POWER

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs585mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 230μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds430 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)94W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTO-252
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 R6509END3TL1

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