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RH6L040BGTB1

¥14.83
單 FET、MOSFET

NCH 60V 65A, HSMT8, POWER MOSFET

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.1mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1320 pF @ 30 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2W (Ta), 59W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-HSMT (3.2x3)
Package / Case8-PowerVDFN

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產品 RH6L040BGTB1

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