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STD4N62K3

¥13.90
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)620 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.95Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 50μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 10 V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds450 pF @ 50 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)70W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageDPAK
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 STD4N62K3

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