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SCT4013DRC15

¥305.50
單 FET、MOSFET

750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)750 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C105A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs16.9mOhm @ 58A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id4.8V @ 30.8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs170 nC @ 18 V
Vgs (Max)+21V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4580 pF @ 500 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)312W
Operating Temperature175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-247-4L
Package / CaseTO-247-4

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 SCT4013DRC15

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