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SCT2450KEHRC11

¥87.48
單 FET、MOSFET

1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs585mOhm @ 3A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 900μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27 nC @ 18 V
Vgs (Max)+22V, -6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds463 pF @ 800 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)85W (Tc)
Operating Temperature175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-247N
Package / CaseTO-247-3

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 SCT2450KEHRC11

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