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STD11N65M5

¥14.04
單 FET、MOSFET

MOSFET N CH 650V 9A DPAK

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs480mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 10 V
Vgs (Max)±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds620 pF @ 100 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)85W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageDPAK
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產品 STD11N65M5

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