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STT5N2VH5

¥4.32
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 20V SOT23-6

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusNot For New Designs
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 250μA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds367 pF @ 16 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.6W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageSOT-23-6
Package / CaseSOT-23-6

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 STT5N2VH5

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