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CSD18536KCS

¥17.86
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs108 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11430 pF @ 30 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)375W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-220-3
Package / CaseTO-220-3

新聞資訊

Texas Instruments 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 CSD18536KCS

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