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CSD19506KTT

¥35.42
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3.2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs156 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds12200 pF @ 40 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)375W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageDDPAK/TO-263-3
Package / CaseTO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

新聞資訊

Texas Instruments 單 FET、MOSFET 產品 CSD19506KTT

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