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STL25N60M2-EP

¥30.82
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 600V 16A PWRFLAT HV

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs205mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 10 V
Vgs (Max)±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1090 pF @ 100 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)125W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackagePowerFlat? (8x8) HV
Package / Case8-PowerVDFN

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產品 STL25N60M2-EP

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