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RD3P08BBDTL

¥21.96
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 100V 80A TO252

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.6mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1940 pF @ 50 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)119W (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTO-252
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產品 RD3P08BBDTL

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