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R6006KND3TL1

¥15.77
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 600V 6A TO252

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs830mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds350 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)70W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTO-252
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產品 R6006KND3TL1

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