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CSD25501F3T

¥6.12
單 FET、MOSFET

MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs76mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.05V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.33 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)-20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds385 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)500mW (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package3-LGA (0.73x0.64)
Package / Case3-XFLGA

新聞資訊

Texas Instruments 單 FET、MOSFET 產品 CSD25501F3T

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