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RVQ040N05HZGTR

¥6.91
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)45 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs53mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.8 nC @ 5 V
Vgs (Max)±21V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds530 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)950mW (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTSMT6 (SC-95)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產品 RVQ040N05HZGTR

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