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RF4C100BCTCR

¥6.12
單 FET、MOSFET

MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8

參數名稱參數值
Product StatusActive
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs15.6mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1660 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2W (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageHUML2020L8
Package / Case8-PowerUDFN

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產品 RF4C100BCTCR

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